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管径均匀的碳纳米管阵列及其生长方法

2016年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种生长管径均匀的碳纳米管阵列的方法，主要包括：步骤A）在金属箔片上沉积缓冲层和催化剂层形成复合基底；步骤B）通入还原气体，于3～20kPa低压下对复合基底上的催化剂进行还原处理；步骤C）通入由惰性气体、还原气体和碳源气体组成的混合气体，于15～40kPa低压下，采用化学气相沉积法在复合基底上原位生长碳纳米管阵列。本发明的方法中，催化剂的还原和碳纳米管阵列的生长分别控制在3～20k...
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