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一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅（SiNx）钝化层，P电极及加厚电极（8）。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积（ICPCVD）技术生长氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表...

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