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一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法，该方法包括母液提纯和外延生长二个步聚，依次是：将原料Ga和GaAs放入石墨舟，抽真空、通氢气，调控上段炉与下段炉形成稳定的温差，开始提纯母液；提纯后，打开阀门，使得石墨舟左侧室上部的母液流入右侧室，调控炉与上段炉温度相同，待母液匀化后，移开档板，插入衬底控制杆至衬底浸入母液，以恒速降温，开始外延生长，结束后拉动控制杆至衬底离开液面，转动控制杆，甩掉残留母...
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