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一种双极性多级平面阻变存储器及其导电衬底与制备方法

2016年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明的目的是提供一种平面二维结构的阻变存储器，用于解决现有“三明治”型立体结构难以向大规模高密度集成方向发展的问题。另外，本发明还提供了上述存储器的导电衬底与制备方法。
为实现上述目的，本发明的存储器方案是：一种双极性多级平面存储器，包括掺杂Nb的SrTiO3单晶导电衬底，在导电衬底的一侧表面上制备有用于与导电衬底的接触界面形成阻变层的肖特基电极，该侧表面还制备有与所...
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