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深结MOSFET工艺开发及产品

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
“深结MOSFET工艺开发及产品”项目,采用了CoolFET结构的深结MOSFET技术,通过离子注入、电子束蒸发、溅射等先进的芯片工艺技术、使得电压承受层载流子浓度加大,从而有效降低了导通电阻以及导通损耗,取得比传统功率器件更为优异的产品性能。此项技术和产品填补了国内产业空白,并将全面替代现有进口的COOL MOSFET产品。
该项目所开发的深结MOSFET产品可广泛应...
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