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一种山葵脱毒苗的培养方法

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种山葵脱毒苗的培养方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）切取山葵根茎上生长的芽体的芽尖部分，将其放在超净工作台上，先用0.1%的升汞消毒2～5分钟，再用无菌水清洗后，接种于促进芽尖快速生长的培养基MS+KT0.5～1.5mg·L?1+NAA0.3～1.0mg·L?1中，在12～20℃、每天光照6～12小时、光照强度为1000～1500lx的条件下进行培养；
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