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非晶硅p-i-n结构薄膜的制备和侧向光伏效应研究

2016年

基础理论

成果简介

非晶硅（a-Si：H）具有优异的光学性质，其异质结构具有良好的电学性质，制备出高质量的a-Si：H异质结能够发挥两者协同效应，从而在光伏发电或光电子器件中实现重要应用。目前，大多的研究者主要关注于该异质结构横向光电特性及效率的提高，对异质结侧向光电特性和潜在的应用研究相对甚少。该项目以等离子体增强化学汽相沉积技术（PECVD）在单晶硅（c-Si）基片上制备高质量的a-Si：H薄膜，

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