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SOI硅高温压力传感器

2000年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
此成果为国家“九五”攻关课题。该成果采用Si-SiO_2-Si键合技术获得SOI材料，利用KOH腐蚀的方法制作出敏感硅膜和弹性体用的硅杯结构，采用干法刻蚀技术制作出敏感电阻全桥，利用单晶硅的压阻效应实现压力信号向电信号的转换。其性能指标达到901年代同类产品的国际先进水平。该成果填补了国内低量程段高温压力传感器的空白，特别是解决了过程控制中对过热蒸汽的高温压力测量问题，目前已取得了一定的经...
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