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高击穿电压硅基GaN HEMT超级结器件研究与设计

2015年 基础理论
  • 成果简介
①课题来源与背景:
本课题是湖南省科技计划项目资助项目,从国内外研究状况可知,目前GaN 功率器件的研究重点在于改善器件击穿电压与正向特性(比导通电阻和正向开启电压)的矛盾关系,以提高器件整体性能。GaN基功率器件在导通电阻方面突破了Si 材料极限,但相对于GaN 材料本身而言还有很长一段距离(如图1所示)。因此,如何进一步优化击穿电压与比导通电阻之间的关系,充分发挥G...
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