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一种增强型硅基光电二极管及其制作方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本项目提供一种增强型硅基光电二极管及其制作方法，以实现紫外光电二极管结构简单、制作容易，且具有高紫外选择性、高紫外响应度、低响应时间等优点。光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有高压深N阱，高压深N阱上设有P阱，P阱上设有低掺杂的N型层，低掺杂的N型层上注入了条纹状P+阳极，条纹状P+阳极与低掺杂N型层形成具有紫外/蓝紫光增强响应的光电二极管结构。低掺杂的N型层与P阱形成寄生光电二极管，P...
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