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Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
上成果是一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法,在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂,减小GaAs的离子性,促进纳米线闪锌矿结构的形成,其特征在于:在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压,调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压,以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x,x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和...
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