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制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法,包括:1)在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲,清洗未被吸收的的SbCl3,然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲,清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物;2)向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲,清洗残余的TiCl4,然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲,清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物;3)向...
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