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一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法

2015年

应用技术

中期阶段

成果简介

目前制备纳米探针的技术多种多样，其中多以碳纳米管（CNT）沉积为主，即利用 FIB 沉积一层 Pt 作探针后在其上通过电沉积形成 CNT 做针尖，这类方法制作的纳米探针在尺寸上可以达到 10 纳米左右的尺寸，尖锐度高，但是在集成化和规模化生产方面有着难以逾越的障碍。本发明提出的硅纳米探针制备方法则只需要常规的 MEMS 工艺，通过 ICP 干法刻蚀、各向异性湿法腐蚀和自限制氧化工艺即可制...

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