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4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底材料

2015年

应用技术

中期阶段

成果简介

1、课题来源与背景
本项科技成果来源于山东天岳先进材料科技有限公司自选课题。
2、技术原理及性能指标
（1）技术原理
本项目采用物理气相沉积法（PVT）在2000℃以上的高温下生长SiC单晶，通过合理控制热场获得高品质4英寸高纯半绝缘型4H-SiC单晶。将SiC单晶进行切割、研磨、抛光、清洗、封装等工艺流程获得...

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