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一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法

2015年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明公开了一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中，以平面Si靶和C靶作为相应元素的来源，Si靶、C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上，通过调整中频脉冲电源的功率控制靶的溅射率；采用高纯Ar作为离化气体，保证有效的辉光放电过程；采用高纯H2作为反应气体，使其离化并与Si、C元素结合，在基体表面沉积形成氢化硅碳薄膜，通过掺入C含量的变化，改变Si、C的化学计量比...

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