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一种半导体芯片封装结构

2017年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明提供一种半导体芯片封装结构，该半导体芯片被真空包覆于包覆体中，所述半导体芯片可以是氮化镓晶体管、氮化镓放大器模块或者氮化镓单片微波集成电路，上述氮化镓晶体管由下至上依次包括基片、半导体层和隔离层，该氮化镓晶体管还包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极设置于所述隔离层上且电性连接所述半导体层，所述栅极设置于所述隔离层上，所述栅极位于所述源极和漏极之间。上述氮化镓晶体管真空封装于包覆体中，真空...
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