首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却技术，具体为一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法，具体为：在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO2层，SiO2层腐蚀为多孔结构。本发明中的芯片沸腾换热结构可以在较低的壁面过热度下提供了足够多的气泡核化点数和较大的有效换热面积，从而解决了芯片在沸腾起始到核态沸腾时存在的较大温度热冲击问题...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统