首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管

2017年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底（1）、成核层（2）、主沟道层（3）和主势垒层（4），主势垒层（4）顶端两侧为源极（5）和漏极（6），中间为栅极（7），主势垒层（4）上设有n个辅沟道层与辅势垒层组成的交替循环异质结构，n的取值为1～3；最顶层辅势垒层与主势垒层（4）之间设有凹槽（9），该凹槽靠近漏极一...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统