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基于碳化硅三极管的β射线探测器

2017年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法，主要解决了现有β射线探测器灵敏度低，抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触（1）、掺杂浓度为1×1019～3×1019cm-3发射区（2）、厚0.5μm掺杂浓度为1×1017～5×1017cm-3的p型基区外延层（3）、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型集电区外延层（4）、掺杂浓度...
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