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易于集成的横向超结功率MOS器件结构和耐压理论

2017年 基础理论
  • 成果简介
  超结器件具有优异的开关特性,是进行功率处理的关键器件,广泛应用于消费电子和工业控制等领域。功率集成电路朝着更薄的方向发展,薄耐压层会加重衬底效应,同时形成过高的体内电场,导致SJ 器件耐压特性急剧降低,且单纯依靠降低衬底掺杂浓度也不能得到有效的缓解,严重束缚了横向SJ 器件的发展和应用。因而薄层横向SJ 器件的研究尤显必要和迫切,是目前功率器件领域的研究热点和难点。
  本项目围绕...
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