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一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法。其技术方案是：将90～99wt%的单质硅粉和1～10wt%的铬粉混合均匀，在压力为20～60MPa条件下压制成型；再将成型后的坯体置入管式电阻炉内，在氮气气氛中以2～10℃/min的速率升温至1200～1400℃，保温2～8小时，即得一维氮化硅纳米粉体。其中：所述单质硅粉中的Si含量≥95wt%，粒径≤88μm；所述铬粉中的Cr含量≥95wt%，粒...
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