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铝酸锂上无极性氮化物薄膜制备关键技术

2017年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　制备无极性GaN基器件是制备高效、高可靠性LED器件的一个重要手段，无极性器件制备难点之一为晶格和热匹配较适宜的衬底材料，r-AL2O3，SiC，GaN等衬底得到了研究人员的重视，而匹配性更好的LiAlO2研究相对较少，并且铝酸锂生长周期长，生长过程易挥发，难以化学抛光等因素严重制约其研究。本项目对LiAlO2衬底制备和无极性GaN在其上生长进行了研究。通过对生长炉膛的温度场重新设计与多探头温...

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