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一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。去除复合掩膜的两种介质膜刻蚀剂不同，去除掩膜时，依次去除牺牲介质膜、光致抗蚀剂掩膜及阻挡层介质膜。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高...
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