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一种功率半导体器件的衬底转移方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明提供了一种功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在硅衬底上的GaN功率半导体器件转移至石英衬底上，该方法简单易行，可在同行业中进行推广；高绝缘的石英衬底可以有效的帮助GaN功率半导体器件提高击穿电压，提升器件的最大输出功率，同时增强器件的可靠性；另外，也可减小有源器件到衬底之间前的高频寄生参量，有效的提高GaN器件射频性能；该方法操作简单，可推动GaN器件在下一代...
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