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InGaP外延层的刻蚀方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明提供了一种InGaP外延层的刻蚀方法，InGaP外延层生长在衬底上，刻蚀方法包括：采用化学气相沉积工艺在InGaP外延层上生长形成硅基薄膜层；在硅基薄膜层上涂覆光刻胶形成光刻胶层；采用光刻工艺在光刻胶层上刻蚀出光刻图案；采用反应离子刻蚀工艺在光刻图案内的硅基薄膜层上刻蚀出与光刻图案相对应的目标图案；采用浓盐酸与磷酸的混合酸液刻蚀目标图案内的InGaP外延层；去除光刻胶层的剩余部分。通过上...
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