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场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明提供了一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其包括以下步骤：将场效应晶体管的漏极开路、源极接地后在栅极施加正向偏置电压，以获得栅源电压与栅源电流的关系式以及漏源电压与栅源电流的第一关系式；保持场效应晶体管的漏极开路、源极接地，在漏极注入恒定直流电流，以获得漏源电压与栅源电流的第二关系式；将场效应晶体管的源极开路、漏极接地后在栅极施加正向偏置电压，以获得栅漏电压与栅漏电流的关系式以...
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