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半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
  本发明提供了一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法,其包括:采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗,其中,EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液;采用NMP溶剂对半导体晶圆进行第二次清洗;采用IPA溶剂对半导体晶圆进行第三次清洗;采用纯水对半导体晶圆进行第四次清洗;对半导体晶圆进行干燥。通过上述方式,本发明能够完全清洗深孔中的聚合物。...
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