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深硅刻蚀方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明提供了一种深硅刻蚀方法。该方法包括：采用ICP刻蚀工艺在对阻挡层开口内的硅衬底进行刻蚀，形成沟槽，刻蚀气体为氟基气体；将氟碳化合物气体等离子体化，使等离子体中的CF2成分以聚合物形式覆盖在硅表面，以在沟槽的表面沉积保护层；采用射频电场使氩离子对沟槽的底部进行垂直轰击，以去除沟槽底部的保护层；最后重复上述过程，直至沟槽的深度达到预设深度。通过上述方式，本发明能够刻蚀出较大深宽比的沟槽，而且...
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