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基于硅纳米晶薄膜/晶体硅异质结太阳电池的制备及其性能研究

2017年 基础理论
  • 成果简介
　　采用磁控溅射法制备了掺杂型硅纳米晶薄膜，最低电阻率低于0.01 ohm.cm；采用计算的方式表明，未经任何优化的硅纳米晶薄膜/晶体硅的异质结电池器件的理论效率可以达到18.5%，开路电压达到641 mV；原型器件的开路电压约为400 mV，要求对异质结表面进行良好的钝化才能提高电池性能；制备了掺铝氧化锌/晶体硅异质结电池其短路电流约为29 mA/c㎡ 、V℃为254 mV，填充因子约45%；通...
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