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高性能功率MOSFET器件及其可靠性研究

2017年

基础理论

成果简介

　　1、课题来源与背景
　　为克服超结结构器件的不足，类超结器件结构器件被提出来，该结构在实现漂移区完全耗尽的前提下解决了超结中掺杂不匹配等问题，并且在中低压范围内性能要优于超结结构，是高性能的功率MOSFET器件提供重要的发展方向。
　　技术原理及性能指标
　　2、技术原理及性能指标
　　（1）深入研究类超结器件在漂移区不同深宽比时的击穿机制，最...

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