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一维高迁移率、Si掺杂的In2O3(ZnO)m透明纳米电极材料的研究

2017年

基础理论

成果简介

　　成果采用化学气相沉积法，制备 Si 掺杂的 In2O3（ZnO）m（SIZO）一维透明的纳米电极材料；通过改变前驱物中 Si 的含量，调控 In2O3（ZnO）m（IZO）纳米带（线）中 Si的掺杂浓度；研究 Si 的掺杂浓度、超晶格取向和材料组分（或 m 值）对材料的透光率的影响；研究电子在单根纳米结构中的输运性质与微结构、超晶格取向和组分的相关性。最终获得具有高迁移率、高电导率和高可见透光...

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