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一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法

2017年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法。该方法的工艺基于GaAs同质外延在低温生长的最佳工艺参数，并将熔源的熔融过程分为两次：第一次熔融获得Ga、As为组分的初始熔源；第二次熔融时加入Sb组分，再次长时间熔融得到生长熔源。该发明的优点是可以在低温下获得富As的GaAsSb薄膜，且制备工艺简单，工艺成本低，晶体质量高。...

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