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三氯氢硅还原工艺控制方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种三氯氢硅还原工艺控制方法，该控制方法包括初步反应控制阶段、稳定反应控制阶段和终了反应控制阶段，在初步反应控制阶段内SiHCl3的流量控制在260m3/h以下，H2的流量控制在520m3/h以下，电流控制在30～1000A之间，在稳定反应控制阶段SiHCl3的流量控制在175～260m3/h之间，H2的流量控制在385～520m3/h之间，电流控制在1000～2000A之间，在终了...
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