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P型VDMOS产品开发

2017年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　1、简要技术说明及主要技术性能指标
　　本项目主要内容为P型VDMOS器件工艺技术的研究，开发系列产品，使产品性能和芯片合格率达到约定指标，并实现规模量产。
　　主要研究内容一是P型VDMOS的VTH稳定性，二是如何在现有的版图上实现500V左右的高压要求。
　　本技术所述的P沟道VDMOS器件生产方法，可以实现P沟道VDMOS器件的Vth值稳定在2～...

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