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钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法

2015年

应用技术

中期阶段

成果简介

针对高密度、高速、低功耗PCRAM芯片的研发，本项目进一步完善半导体材料的制备、加工与测试的技术平台，与在中芯国际建成的12英寸PCRAM专用工艺平台有机的结合，实现创新性成果的快速转换；搭建和完善相变材料化学制备工艺平台；搭建超高速（皮秒）极低功耗存储单元性能测试平台，解决1-8GHz带宽下非匹配负载信号传输及单元瞬态响应测试问题；完善和提升8-12英寸PCRAM实验室测试与量产测试平台...

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