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一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
此成果是一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法，该方法包括快速退火与空气淬火二个步骤。首先将InAs样品放置于快速退火炉中，接着立即将温度升至退火温度，并保温一段时间，最后迅速将样品从退火炉中取出放置于烧杯中，待样品冷却至室温即可。本发明的优点是：方法简单、有效可行。一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法，该方法包括快速退火与空气淬火二个步骤。首先将InAs样品放置于快速退...
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