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一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
近年来，人们发现对单晶硅纳米结构进行氧化时，纳米结构的外层由于氧化后体积膨胀对内层未氧化的区域进行挤压，从而在纳米结构的内层产生较大的应力，而由于该应力的存在，内层硅原子的氧化速率明显低于外层硅原子，该现象被称为“自限制氧化”，并常常作为一种低成本的尺寸缩小技术用于单晶硅纳米线结构制备上。由此，目前一部分研究已经实现了在（100）晶面型、（110）晶面型、（111）晶面型的单层硅片或 SO...
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