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一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
在高深宽比硅结构的制造过程中，常用的硅刻蚀方法主要有湿法刻蚀、金属掩蔽刻蚀、低温刻蚀和 Bosch 工艺交替刻蚀。为了提高高深宽比硅结构的侧壁平滑度，本发明公开了一种硅通孔刻蚀方法，该专利采用刻蚀气体和侧壁保护气体同时供应的刻蚀方法制备硅通孔，但该方法对刻蚀速率有很大的影响。还有的侧壁平滑方法在刻蚀到一定阶段，利用大量氧气将聚合物的氧化层分解掉，并将刻蚀形成的沟槽中暴露出来的晶体硅氧化形成...
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