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加速度和压力传感器单硅片集成芯片及制作方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种加速度和压力传感器单硅片集成芯片及制作方法。该芯片包括一块单晶硅基片和均集成在该单晶硅基片上的加速度传感器及压力传感器；采用单硅片单面微加工方法把压力和加速度传感器集成在该单晶硅基片的同一表面，通过侧壁根部横向刻蚀技术形成厚度均匀可控的单晶硅薄膜和嵌入式腔体，并在单晶硅薄膜上表面合理分布压阻制作压力传感器；加速度传感器采用双悬臂梁和质量块结构，通过对单晶硅薄膜的后续选择性电镀...
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