首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种磁控溅射制备氢化硅薄膜的方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种磁控溅射制备氢化硅薄膜的方法，该方法将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中，以平面Si靶作为Si元素的来源，通过调整中频脉冲电源的功率控制Si靶的溅射率；采用高纯Ar气作为主要离化气体，保证有效的辉光放电过程；采用高纯H2气作为反应气体，使其离化并与Si元素结合，在基体表面沉积形成氢化硅薄膜，该薄膜在真空下550-950℃退火可得到具有纳米晶/非晶的复合结构。本发明通过改变氢...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统