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纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性

2004年

基础理论

成果简介

　　系统研究了SiC非晶薄膜的退火晶化过程，成功制备出了SiC纳米晶颗粒薄膜。用Auger、XPS分析了薄膜的成分，用XRD、XPS和FTIR研究了非晶薄膜的晶化温度，HRTEM观察和XRD线宽法计算证明：依退火条件不同SiC薄膜由3-10nm的晶粒组成。XRD和STM研究表明，其晶体结构为立方结构，即b-SiC，且与衬底表面的晶体结构密切相关。晶化动力学理论计算得到的纳米晶尺寸和退火时间的关系与...

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