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蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件的制作方法

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、p-AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层，以及在p型GaN冒层设有的窗口区（A）。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-A...
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