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一种抗地弹效应的输出电路

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种具有抗地弹效应的输出电路，其特征在于，使用PMOS阈值电压调整电路（105）调整PMOS输出晶体管（101）、（102）的阈值电压，使用NMOS阈值电压调整电路（106）调整NMOS输出晶体管（103）、（104）的阈值电压。输出电路的输出由高电平向低电平转换时，PMOS输出晶体管（101）、（102）的阈值电压增大，NMOS输出晶体管（103）、（104）的阈值电压减小，...
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