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宽输入CMOS带隙基准电路结构

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种宽输入CMOS带隙基准电路结构。第一级带隙基准电路的输入端连接输入电压Vdd,第一级带隙基准电路的输出端电压Vout1连接第二级带隙基准电路的输入端输入电压Vdd1,第二级带隙基准电路的输出端输出电压Vout,第一级带隙基准电路和第二级带隙基准电路之间采用电压互连的方式连接。在提供电压宽输入范围的同时,不损失电路的电源抑制比、温度系数其它性能指标,同时与CMOS工艺兼容,可...
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