国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

HEMT器件及其制造方法

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据 本发明的一个方面,提供了一种HEMT器件,包括:在衬底上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;与上述半导体层接触的源极和漏极;以及在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅,该栅极和至少一个浮栅为双层结构,其中上层为导电层,下层为第一介质层。一种HEMT器件,包括:在衬底上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;与上述隔离层接触的源...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统