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基于SiO2掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法

2014年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本发明公开了一种基于SiO2掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO2/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层SiO2；刻蚀掉表面的SiO2层，只保留窗口侧面的SiO2；利用Ploy-Si和SiO2的刻蚀速率比（50∶1），刻蚀掉上层的Ploy-Si；再利用Ploy-S...

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