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三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法

2014年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI衬底，利用SSOI衬底中应变Si材料电子迁移率高的特点，制作应变SinMOSFET；上层有源层采用SSGOI衬底，利用SSGOI衬底中应变SiGe材料空穴迁移率高的特点，制作应变...
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