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纳秒响应微光像增强器的光电阴极及其制作方法

2014年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种纳秒响应微光像增强器的光电阴极及其制作方法，该光电阴极以Φ18mm多碱S20毫秒响应光电阴极为基础，其有效直径为Φ30mm，导电膜为纳秒响应级0.08μm厚的镍膜，光电发射层为500nm厚的（Cs）Na2KSb层；在制备光电发射层的工艺中，采用先蒸镀一层30nm后的K膜，以便于光电流监控仪在光电发射层制备过程中对各阶段膜厚的监控。本发明的光电阴极很好地解决了用现有技术微光成...
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