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基于可控钝化层掩模的硅纳米线ICP制备方法与机理研究

2014年 基础理论
  • 成果简介
本项目研究了基于可控钝化层掩模的硅纳米线ICP制备方法与机理。采用反应离子深刻蚀方法，以钝化层为ICP刻蚀掩模，制备形貌可控的硅纳米线，深入研究了工艺参数对形貌的影响，阐释了可控钝化层掩模的工作机理。在制备出硅纳米线的基础上，通过宽光谱反射实验，研究了硅纳米线表面形貌对光学反射性能的影响。采用光学轮廓法，研究了硅纳米线表面形貌对润湿性能的影响。...
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