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半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法

2014年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC：Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一...
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